STAGE - Optimisation par simulation TCAD d'un pixel de type HDR GS-F/H

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A propos de vos missions
Rattaché(e) à l'équipe R&D de simulation pour les technologies CMOS Imager, votre mission sera de:
- Effectuer les simulations TCAD avec le procédé de référence visé d'un pixel global shutter HDR et d'évaluer ses performances éléctriques.
- Evaluation de différents designs (layouts).
- Etude de l'isolation des transistors MOSFET du pixel.
- Simuler le fonctionnement du pixel en mode LOFIC (Lateral Overflow Integration Capacitor), de faire une estimation de la PLS (Parasitic Ligth Sensing), du CVF (Conversion Voltage Factor), et du courant d'obscurité
- Proposer des modifications de type procédé de fabrication ou design pour améliorer les facteurs de mérite du pixel.
L’étudiant commencera par effectuer un état de l’art sur les technologies existantes. Il s’en suivra une initiation aux outils permettant de faire les simulations TCAD. L’objectif principal étant que l’étudiant propose des optimisations des conditions du procédé de fabrication et d’établir une méthodologie de simulation permettant l’extraction des métriques du pixel.
A propos de vous
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BAC+5 en cursus Ingénieur ou MASTER2 Physique, Microélectronique, Matériaux.
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Vous avez de l’intérêt pour l’univers des capteurs imageurs, de la physique des semi-conducteurs, de l’électronique et de l’informatique.
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Une expérience préalable avec des logiciels de simulation (éléments finis) est un plus.
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Vous aimez travailler en équipe, dans un contexte international.
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Bonne maîtrise de Python souhaitée.
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Bon niveau d'anglais scientifique.
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Dear STMicroelectronics Hiring Team,
I am excited to apply for the STAGE - Optimisation par simulation TCAD d'un pixel de type HDR GS-F/H position. With my experience in TCAD simulation and CMOS Imager...
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